سامسونج تواجه تحديات في تطوير تقنية 3 نانومتر وتهدد مكانتها في سوق المعالجات

 تواجه شركة سامسونج تحديات كبيرة في تطوير تقنية 3 نانومتر باستخدام عملية التصنيع “Gate-All-Around” (GAA)، حيث تشير التسريبات إلى أن عائدات الإنتاج لم تصل إلى الأهداف التي كانت تسعى لتحقيقها. 

وفقًا لتقرير صادر عن موقع Naver الكوري، كانت سامسونج قد حددت هدفًا طموحًا بتحقيق عائد بنسبة 70% في إنتاج الجيلين الأول والثاني من تقنية 3 نانومتر، ولكن يبدو أن هذا الهدف أصبح بعيد المنال. وفي حين أن الجيل الأول من هذه التقنية، المعروف باسم “SF3E-3GAE”، حقق عائدات تتراوح بين 50 إلى 60%، إلا أن هذا الرقم لا يزال أقل من المستوى المطلوب لكي تصبح التقنية جذابة تجاريًا.

وتشير التوقعات إلى أن هذا العجز في العائدات هو السبب الرئيسي وراء عدم اعتماد الشركات الكبرى لتقنية GAA من سامسونج، حيث قررت شركة كوالكوم تصنيع معالج Snapdragon 8 Elite حصريًا باستخدام بنية TSMC 3 نانومتر “N3E”، ما يعكس تراجع ثقة العملاء في تقنية سامسونج.

أما بالنسبة للجيل الثاني من تقنية 3 نانومتر من سامسونج، والمعروف باسم “SF3-3GAP”، فإن التوقعات لا تبدو واعدة، حيث تشير التقارير إلى أن معدلات العائد لا تتجاوز 20%، وهو أقل من ثلث الهدف الذي كان من المتوقع تحقيقه.

هذا النقص الكبير في تقدم التقنية يُعتبر تهديدًا كبيرًا لثقة العملاء في قدرة سامسونج على تحقيق النجاح في تقنية 3 نانومتر، مما قد يدفع الشركات إلى اللجوء إلى تقنيات أخرى أكثر استقرارًا مثل تلك التي تقدمها شركة TSMC. 

ولمواجهة هذه التحديات، يُعتقد أن سامسونج قد تحوّل تركيزها ومواردها إلى تطوير تقنية 2 نانومتر، حيث تشير الشائعات إلى أن الشركة تعمل على تطوير مجموعة شرائح Exynos جديدة تحت الاسم الرمزي “Ulysses” باستخدام تقنية “SF2P”، ومن المتوقع أن يتم إطلاق هذه الشرائح في طرازات Galaxy S القادمة، ربما في S27 في عام 2027.