سامسونج تبدأ الإنتاج الضخم لشرائح QLC V-NAND بسعة 1 تيرابايت

بدأت شركة سامسونج في الإنتاج الضخم لشرائح QLC V-NAND المميزة بسعة 1تيرابايت، والتي تدعم حلول الذكاء الإصطناعي الجديدة.

أعلنت سامسونج عن بدء الإنتاج الضخم لأحدث إصدار من شرائح NAND، حيث تبدأ الشركة في إنتاج ذاكرة V-NAND من الجيل التاسع من QLC، والتي تنطلق بسعة 1 تيرابايت.

ولقد كانت سامسونج أولى الشركات التي تنتج الجيل التاسع من V-NAND بتقنية TLC في شهر أبريل الماضي والتي تتميز بتقنية الخلايا الثلاثية.

واليوم تبدأ الشركة في ترقية التقنية إلى خلايا (QLC) رباعية، والتي تتيح زيادة السعة حتى 4بت في كل خلية، لذا تأتي الشرائح بكثافة تخزينية مرتفعة.

كما تعمل هذه الترقية أيضاً على تعزيز سرعة القراءة والكتابة في الشرائح، مع خفض إستهلاك الطاقة، على أن يتم خفض إستهلاك الطاقة في القراءة بنسبة 30% وخفض إستهلاك الطاقة في الكتابة بنسبة 50%.

ولقد أشار “SungHoi Hur” نائب الرئيس التنفيذي ورئيس قسم منتجات الفلاش أن الإنتاج الضخم للشرائح الجديدة يأتي في الوقت الأنسب مع حلول الذكاء الإصطناعي.

المصدر